消息称三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶技术

IT之家6月11日消息，韩媒ETNews当地时间昨日报道称，三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶(DryPR)技术，将应用于到即将正式推出的第6代10纳米级工艺(1cnm)中。

消息指三星电子已完成了干式光刻胶涂覆、显影等工序所需的多台泛林集团(LamResearch)所需设备。

不同于使用溶液旋涂、需要溶剂冲洗的传统湿式光刻胶，干式光刻胶直接沉积到晶圆表面，这避免了光刻胶去除过程中液体表面张力影响图案完整性的问题。此外干式光刻胶也具有更高的曝光效率、能实现更为精细的线宽。

三星电子计划将1cnmDRAM应用在其HBM4产品中，干式光刻胶对图案质量的提升有望成为提高HBM4堆栈信号完整性与可靠性的物理起点。

IT之家注意到，泛林集团今年1月29日已宣布其干式光刻胶已得到一家领先存储器制造商在最先进DRAM工艺上的导入。